杂志近日在线发表了明升中国app院金属研究所任文才研究组的一项成果，研究实现了高质量均一严格单层二硫化钨（WS2）单晶和薄膜的低成本、大面积制备，为其在柔性电子/光电子器件以及谷电子和自旋电子器件领域的应用奠定了材料基础。

科研人员发现，金是唯一在高温下不与硫反应生成硫化物的金属，并且具有催化活性，可有效降低三氧化钨硫化过程的势垒，且高温下金中钨原子的溶解度极低。

在此基础上，他们提出采用金作为生长基体的表面催化常压明升手机气相沉积法，实现了高质量、均一单层的毫米级尺寸WS2单晶以及大面积薄膜的制备。研究发现，金的催化活性以及金中极低的钨溶解度，保证了均一单层的高质量WS2晶体的生长。同时，可采用电明升手机鼓泡方法在不损坏金基体的情况下实现WS2的高质量转移。该方法制得的单层WS2具有很高的结晶质量，表现出与机械剥离法制备的材料相比拟的光学和电学性质。

此外，研究提出了卷对卷与电明升手机鼓泡相结合的无损转移方法，实现了大面积单层WS2薄膜到柔性透明基体上的低成本连续转移。并实现了大面积柔性透明的单层WS2薄膜晶体管阵列的制备，弯折上百次后电学性能仍不发生衰减。（来源：明升中国app报 丁佳）