中科院微电子所刘明研究员领导的下一代非挥发性半导体存储器研究组，最近在阻变存储器领域取得进展，在最新一期的《电子器件快报》（IEEE Electron Device Letters）上发表了题为“Nonpolar Nonvolatile Resistive Switching in Cu Doped ZrO₂ ”的研究论文。这是该研究组继去年在权威期刊《应用物理快报》上发表两篇关于掺杂二元氧化物的阻变效应以来，在该领域取得的又一最新进展。

 

在阻变存储器（RRAM）的研究中，刘明领导的研究组把研究的注意力集中在材料组分简单、制造工艺与CMOS兼容的二元金属氧化物上，创新性地研究了掺杂二元金属氧化物的电阻转变特性。实验结果发现在二元金属氧化物中掺杂可以有效地提高器件的成品率，这项结果使得掺杂的二元金属氧化物材料具有很大的RRAM的应用潜力。近期该研究组还基于已经深入研究的Cu/ZrO₂:Cu/Pt材料结构，在国内率先制备了8×8的64位阻变存储器交叉阵列，所成功制备的存储阵列最高存储密度达到277.78 Mb/cm²。（来源：中科院）