近日北京大学物理学院以冯庆荣教授为首的研究组成功制备出了具有超高载流能力的干净极限MgB2（二硼化镁）薄膜样品，以及超高上临界场的碳掺杂MgB2薄膜。该项研究成果将发表在今年3月28日出版的《前沿app》上。

 

据介绍，作为973计划项目“超导材料app及应用中的基础问题研究”的子课题，以冯庆荣为首的研究组在甘子钊院士支持下，与国内外科研小组合作，利用改进的物理明升手机气相沉积方法开展研究。研究组庄承钢博士成功制备出了具有超高载流能力的干净极限MgB2薄膜样品，各种参数均达到世界最好水平。样品的超导临界电流密度接近MgB2超导临界电流密度的理论极限值，为目前世界上临界电流密度最高的报道值。在此基础上，冯庆荣等又设计并建造出一种新的热丝辅助混合物理明升手机气相沉积装置，成功地利用甲烷作为碳源，实现了对干净MgB2样品的可控碳掺杂。

 

据了解，MgB2是2001年被外国app家首先发现的一种具有超导电性的金属间化合物。由于这种新材料可以比目前普遍使用的铌三锡（Nb3Sn）金属间化合物和铌钛(Nb-Ti)合金等超导材料大大降低运行成本，并且成材和加工性能较好，所以被业内普遍认为有可能成为一种可以与Nb-Ti合金相媲美的实用超导材料，特别是在核磁共振成像技术、加速器技术等超导的强电应用方面，具有可观的开发前景。（来源：科技日报 李凝 曹丙利）