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作者:顾长志等 来源:PRL 发布时间:2008-1-17 17:3:21
金刚石表面台阶结构比硅平面更稳定
 
众所周知,当表面上存在台阶结构时,有可能导致悬键或额外应变的发生,因而一般不如平面稳定,这种情形对于Si(001)表面确实如此。但是,对于金刚石而言,尽管和硅有着相同的晶体结构,其(001)表面的台阶结构却和硅大相径庭。近日,中科院物理所的杨洪新、徐力方、方忠、顾长志研究员和美国伦斯勒理工学院(Rensselaer Polytechnic Institute)的张绳百教授合作,用第一原理深入地研究了清洁的金刚石(001)表面的台阶结构,通过计算台阶形成能,发现台阶结构比2×1结构的平面更稳定。相关结果已于2008年1月14日发表在最新一期的《物理评论快报》(Phys. Rev. Lett. 100(2008)026101)上。
 
半导体表面一个最普遍存在的现象是发生晶格再构,它导致了表面具有各种不同于体内的物理性质。正是由于表面再构在基础和应用研究方面具有的重要性,几十年来人们做了大量的工作。能否提出一个简单的理论,从而在研究一些典型的半导体表面再构时给出一定的规律,这是人们长期追求的目标。
 
基于此,他们对碳元素提出了一个用来探索其再构的计键规则 (Bond-Counting Rule),并且应用于金刚石(001)台阶面的再构,与计算结果无一例外的一致。更深入的分析发现,稳定的台阶结构所引起的扭曲σ键比平面2×1再构要少,因而导致其更稳定。这项新的工作发现了金刚石(001)表面台阶化的本质,计算结果和目前国外其它小组STM观测的实验结果完全一致,指出了金刚石表面的台阶化与硅表面台阶化的根本不同,深入认识了金刚石表面台阶的性质,为利用金刚石表面制作各种高可靠性器件奠定了基础。上述研究工作得到明升中国app院、国家自然app基金和科技部项目的支持。(来源:中科院物理研究所)
 
(《物理评论快报》(PRL),100, 026101 (2008) ,H. X. Yang, C. Z. Gu)
 
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