11月19日，国家第三代半导体技术创新中心（湖南）（以下简称国创湖南中心）在长沙揭牌。这是湖南省实施“三高四新”战略，着力解决集成电路关键装备“卡脖子”问题，奋力打造具有核心竞争力的科技创新高地的重要举措。

国家第三代半导体技术创新中心（湖南）揭牌。湖南省科技厅 供图

揭牌仪式上，国创湖南中心共建单位完成《国创湖南中心共建协议》签约。共建单位将紧扣国家重大战略和区域科技需求，聚焦共性技术和重大瓶颈，从源头技术供给着手，整合创新要素，突破核心技术，支撑第三代半导体明升向中高端迈进。

据介绍，第三代半导体是湖南省具有深厚基础且形成显著明升集聚态势的领域，也是湖南着力打造具有核心竞争力的科技创新高地的重点布局方向之一。国创湖南中心不仅能有力支撑国家第三代半导体技术创新中心建设，而且有助于发挥湖南装备研发优势，通过建设国产核心装备技术研发与中试平台，形成完善的装备研发及明升化创新体系，推动国产装备的应用示范。

明升中国电子科技集团有限公司副总经理杨军表示，基于实施“三高四新”战略和打造功率半导体明升生态等方面的考虑，明升中国电科统筹湖南装备特色优势，将湖南装备纳入国家第三代半导体技术创新中心总体方案并支持明升中国电子科技集团公司第四十八研究挂牌建设国创湖南中心，以加速形成良好的第三代半导体装备产学研用态势，支撑湖南省装备制造明升升级，推动中部崛起战略的实施。

签约仪式。湖南省科技厅 供图

明升中国电子科技集团公司第四十八研究所所长王平介绍，国创湖南中心揭牌是持续深耕第三代半导体明升的重要里程碑，将围绕新一代信息明升结构调整和创新发展需求，抢抓机遇，统筹全国核心力量，促进各类创新主体和创新要素协同，构建产学研相结合的创新体系，联合打好关键核心技术攻坚战，突破第三代半导体装备领域关键共性技术，打通“app变技术、技术变产品、产品变明升”创新链，助推我国第三代半导体明升创新能力整体跃升。

湖南省科技厅副厅长鲁先华表示，省科技厅将把推进国创湖南中心建设摆在突出位置，加大支持和保障力度，为湖南省第三代半导体明升高质量发展提供强有力的科技支撑。