日前，记者从中科院电工研究所获悉，该所王秋良研究部采用自主研发的高温内插磁体技术，研制成功国内首个25 T全超导磁体，成为继日本理明升手机研究所（27.6 T）、美国高场实验室（27.0 T）和韩国苏南超导公司（26.4 T），世界上第四个实现25 T以上全超导磁体的研究机构。

据介绍，与其它高温超导带材制作的内插超导磁体相比，ReBCO超导磁体具有更高的上临界磁场和临界电流，运行稳定性更高，更容易获取极高磁场。 但ReBCO带材的结构是层状的，在极高场条件下由于应力集中可能会出现分层的现象，导致磁体损伤，不能稳定运行。

王秋良研究部长期致力于研究极高场内插磁体技术研究，针对ReBCO极高场内插磁体的应力集中问题，采用设计精巧的绑扎装置对磁体外层导线予以保护，并利用分级设计的方式提高端部线圈的安全裕度，使整个内插磁体的运行裕度得以大幅提高。经测试，在液氦测试条件下，内插磁体在运行电流达到194.5 A时，在15T的超导背场中产生了10.7 T的中心磁场，从而实现了中心场为25.7 T的全超导磁体。

专家指出，25.7 T极高场全超导磁场的实现，标志着我国在研制高场内插磁体技术方面走到了世界前列，也标志着我国已经掌握极高场磁体的建造技术，为后续研制30 T极高场app装置和GHz级别的谱仪磁体奠定了基础。