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半导体研究所 |
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半导体材料砷化镓/锗拓扑相研究获重要突破 |
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日前，明升中国app院半导体研究所常凯研究组，提出利用表面极化电荷在传统常见半导体材料GaAs/Ge中实现拓扑绝缘体相，通过第一性原理计算和多带k.p理论成功地证明了GaAs/Ge极化电荷诱导的拓扑绝缘体相，这为拓扑绝缘体的器件应用又向前推进了一步。
明升中国app院半导体研究所常凯研究组继前期首次打破窄能隙和重元素的限制，在常见的半导体材料GaN/InN/GaN中发现拓扑绝缘体相，首次理论上提出利用表面极化电荷在常见半导体材料GaAs/Ge系统中实现拓扑绝缘体相。GaAs/Ge系统与GaN/InN/GaN系统相比不同的地方是，GaAs材料和Ge材料晶格常数匹配，更易于材料的生长。另外，GaAs/Ge是传统的半导体材料，制造工艺成熟，更利于拓扑绝缘体器件的集成。该工作对在常见半导体中探索新的拓扑相，及其开展介观输运的研究具有重要的意义。（晓琪）
《明升中国app报》 (2014-02-10 第6版 动态)