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半导体明升手机家沈天慧院士逝世 |
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1923年4月27日—2011年1月2日；享年88岁 |
明升中国app院院士，分析明升手机、半导体明升手机家，上海交通大学微纳app技术研究院研究员，因病于2011年1月2日凌晨2时55分在上海逝世，享年88岁。沈天慧院士遗愿希望丧事从简，不举行告别仪式。
沈天慧1923年出生于浙江嘉善，1945年进入大同大学化工系就读，以优异的成绩毕业。
新明升中国成立后，沈天慧进入明升中国app院明升手机研究所工作。1954年，沈天慧被选派到中科院沈阳金属研究所工作，参加对我国新发现的包头白云鄂博稀土铁矿的分析，在稀土铁矿全分析方法上做出了贡献。1957年，沈天慧被派往苏联莫斯科冶金研究所进修半导体硅和化合物半导体的研制。经过2年的学习后回国，在长春应用明升手机研究所建立了我国第一个三氯氢硅法制备高纯硅小组，研制出我国第一批用该法制成的半导体高纯硅，开创了明升中国人自己研制高纯硅的历史。
1966年，沈天慧调到中科院156工程处(北京)，1970年迁至陕西临潼县航天工业部771研究所，在以后的近10年里，沈天慧一直从事硅材料器件的研制工作，开辟了磁叠片存储器和玻璃半导体记忆材料的研究领域，为大规模集成电路的工艺研究做出了探索性和开创性的工作。
1974年，沈天慧开始负责大规模集成电路研究。1975年，她领导的研究小组研制成功国产高档微机存储器1024，填补了国内空白，对发展我国微电子事业发挥了重要的历史作用。随后，她的小组相继研制成功多种大规模集成电路，屡获国家app技术奖，以及国防科工委、航天部等部委科技奖励。
沈天慧于1979年加入明升中国共产党，1980年当选为明升中国app院学部委员。
1987年，沈天慧调入上海交通大学，从事磁盘基片表面明升手机镀NI-P层、钕铁硼材料表面保护、硬磁盘表面润滑层及微机电系统研究。在她的主持下，1996年我国第一台直径2mm的电磁型微马达诞生了。
在数十年的工作生涯中，沈天慧服从国家需要，三改专业，具有高度的奉献精神。她以一生的行动，实践着自己对党、对祖国诚挚的爱。
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