近日，香山app会议第326次学术讨论会在北京召开，会议主题是“新一代存储材料与技术”。中科院物理所赵忠贤研究员、北京大学甘子钊教授和中科院物理所沈保根研究员担任会议执行主席，沈保根研究员以“新一代非易失性电阻型存储器”为题作了主题评述手机版，全面介绍了电阻式存储器的研究背景与现状。

 

当前数字高科技的飞速发展对信息存储产品的性能提出了更高的要求，如高速度、高密度、长寿命等。而现有随机存储技术存在断电时信息易丢失以及易受电磁辐射干扰等缺陷，很大程度上地限制了其在关键高科技领域的应用。因此，在存储器材料和技术方面取得突破，以开发新一代的存储器技术就显得尤为迫切。新近基于电脉冲触发可逆电阻转变效应（EPIR效应）研发的电阻式随机存储器（RRAM），具有制备简单、擦写速度快、存储密度高和半导体工艺兼容性好等优势，有成为新一代通用存储器的潜力。

 

由于RRAM是一种全新的存储概念，国际上有关研究工作尚处于起步阶段，基础研究还未成熟。我国若能在这一新技术的研究中取得突破，站在世界的前沿，将大大缓解我国半导体明升发展面临的激烈国际竞争和利润空间压力，意义十分重大。经过认真研讨，与会专家认为我国应着重从以下两个方向开展RRAM研究，一方面加强基础性研究，阐明电致电阻效应的机理，正确评估其性能极限和适用范围；一方面开展器件研究，以产品为导向，重点研究器件化过程中所涉及的核心的基础与技术问题，力争获得知识产权，籍此推动基础性研究的深入。

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